Наукова бібліотека

0054340.pdf

10.08.2023 -- Київ : НТУУ «КПІ»

Книга
Навчальне видання
Шифр:621.38
Авторський знак:М82
Мова:ukr
Додаткові відомості щодо назви : навч. посіб. для студентів вищ. навч. закл.
Відомості про відповідальність : НТУУ «КПІ»
Умови доступу : http://files.znu.edu.ua/files/Bibliobooks/Inshi73/0054340.pd f
Ілюстрації : іл., табл.
Розглянуто сучасні й перспективні надшвидкодіючі прилади електроніки: польові транзистори із затвором Шоттки, гетеробіполярні транзистори, транзистори з високою рухливістю електронів, потужні НВЧ-транзистори, резонансно-тунельні діоди і прилади, що мі стять в активній області нові матеріали (графен, нанотрубки). Аналізу їх роботи передує опис моделей перенесення заряду на макрорівні без урахування квантових ефектів (рівняння Больцмана, релаксаційні рівняння збереження, метод Монте-Карло) і з урахув анням ефектів розмірного квантування (метод обвідної хвильової функції). Особливу увагу приділено опису матеріалів, використовуваних у галузі надвисоких частот, та ефектів перенесення гарячих електронів, що спостерігаються в сильному електричному полі у разі зменшення характерних розмірів приладів. Для студентів напряму «Мікро- та наноелектроніка», також може бути корисний студентам інших спеціальностей та аспірантам вищих навчальних закладів

Дата внесення : 10.08.2023     Переглядів: 0     Популярність: 0%